поверхностное время жизни неравновесных носителей заряда полупроводника


поверхностное время жизни неравновесных носителей заряда полупроводника

 

поверхностное время жизни неравновесных носителей заряда полупроводника
поверхностное время жизни

Отношение избыточного количества неравновесных носителей заряда в объеме полупроводника к плотности их потока на поверхности.
[ГОСТ 22622-77]

Тематики

  • материалы полупроводниковые

Синонимы

  • поверхностное время жизни


Справочник технического переводчика. – Интент. 2009-2013.

Смотреть что такое "поверхностное время жизни неравновесных носителей заряда полупроводника" в других словарях:

  • Поверхностное время жизни неравновесных носителей заряда полупроводника — 35. Поверхностное время жизни неравновесных носителей заряда полупроводника Поверхностное время жизни Отношение избыточного количества неравновесных носителей заряда в объеме полупроводника к плотности их потока на поверхности Источник: ГОСТ… …   Словарь-справочник терминов нормативно-технической документации

  • поверхностное время жизни неравновесных носителей заряда — поверхностное время жизни неравновесных носителей заряда; поверхностное время жизни Отношение избыточного количества неравновесных носителей заряда в объеме V полупроводника к общему их потоку через поверхность …   Политехнический терминологический толковый словарь

  • поверхностное время жизни — неравновесных носителей заряда; поверхностное время жизни Отношение избыточного количества неравновесных носителей заряда в объеме V полупроводника к общему их потоку через поверхность …   Политехнический терминологический толковый словарь

  • ГОСТ 22622-77: Материалы полупроводниковые. Термины и определения основных электрофизических параметров — Терминология ГОСТ 22622 77: Материалы полупроводниковые. Термины и определения основных электрофизических параметров оригинал документа: 11. Акцептор Дефект решетки, способный при возбуждении захватывать электрон из валентной зоны Определения… …   Словарь-справочник терминов нормативно-технической документации

  • ЭЛЕКТРОННО-ДЫРОЧНАЯ ЖИДКОСТЬ — конденсированное состояние неравновесной электронно дырочной плазмы в полупроводниках (см. Плазма твёрдых тел). Существование Э. д. ж. было теоретически предсказано Л. В. Келдышем в 1968. Неравновесная электронно дырочная плазма в… …   Физическая энциклопедия